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      • BX-Y1247D1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1247D1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1247D

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時(shí)間

        2024-05-15

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        產(chǎn)品描述

        1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      • BX-Y1247E1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1247E1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1247E

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時(shí)間

        2024-05-15

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        產(chǎn)品描述

        1200高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      • BX-Y1247F1400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1247F1400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1247F

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時(shí)間

        2024-05-15

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        產(chǎn)品描述

        1400高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      • BX-Y1245C800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1245C800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1245C

        廠商性質(zhì)

        生產(chǎn)廠家

        更新時(shí)間

        2024-05-15

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        產(chǎn)品描述

        800高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
      • BX-Y1245D1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀
        BX-Y1245D1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀

        產(chǎn)品型號

        BX-Y1245D

        廠商性質(zhì)

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        2024-05-15

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        產(chǎn)品描述

        1000高溫四探針雙電組合電阻率測試儀用于:企業(yè)、高等院校、科研部門對導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導(dǎo)電玻璃(ITO)和其它導(dǎo)電薄膜等新材料方塊電阻、電阻率和電導(dǎo)率數(shù)據(jù). 雙電測四探針儀是運(yùn)用直線四探針雙位測量。設(shè)計(jì)參照單晶硅物理測試方法并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)。
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